レーザー基板加熱機構

８０８nm固体レーザーを使用し、光学系及び真空中への光導入部に工夫を加えることで効率よく１０００℃以上の加熱を行うことが出来ます。真空アニール装置他、より高温を必要とするプロセスに最適です。